技术编号:6938683
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体制造领域,尤其涉及一种可提高成形质量的CVD氧化硅制造方 法。背景技术氧化硅作为半导体制造领域使用范围最广的绝缘介质之一,其可用作场氧化 层、栅氧化层和浅沟槽隔离结构(STI)等,制造氧化硅可通过热氧化法和化学气相沉积 (Chemical Vapor D印osition ;简称CVD)工艺制作,其所制作的氧化硅分别简称为热氧化 氧化硅和CVD氧化硅。 在半导体制造领域,通常使用稀释氢氟酸(Dilute HF ;简称DHF)或氢氟酸缓冲腐 蚀...
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