技术编号:6938759
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体制造,特别涉及一种STI的形成方法。 背景技术随着半导体工艺进入深亚微米时代,0. 13 μ m以下的元件例如CMOS器件中,NMOS 晶体管和PMOS晶体管之间的隔离均采用STI (浅沟槽隔离)工艺形成。传统的STI的形成方法通常包括下列步骤首先,提供半导体基底,在半导体基底 上形成刻蚀阻挡层;接着,在所述刻蚀阻挡层上形成光掩膜图形,使得所述刻蚀阻挡层的部 分区域被暴露;对刻蚀阻挡层及刻蚀阻挡层下层的半导体基底进行刻蚀,在所述刻蚀阻挡 层...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。