技术编号:6938761
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体,特别涉及一种。 背景技术在1微米以下的半导体生产工艺中一般都会使用侧墙的结构,侧墙一般用来环绕 多晶硅栅极,防止更大剂量的源/漏注入过于接近的沟道从而导致发生源/漏穿通(punch through)ο现有技术公开一种形成侧墙的技术方案,参照图1至2所示。首先参照图1,提供 半导体衬底11,所述半导体衬底11上形成有栅介质层和栅极构成的栅极结构12、形成于栅 极结构12上和两侧的侧墙层13,所述栅极结构12两侧的半导体底11中还形成有源/漏...
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