技术编号：6939065
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及其中堆叠第III族氮化物半导体层的纵向结构LED芯片，及其制造方法。背景技术通常，由第III族元素和第V族元素的化合物制成的第III-V族半导体广泛用于如发光二极管(LED)的器件。 在使用Al、Ga或In作为第III族元素和使用P或As作为第V族元素来制造如GaP、GaAs、AlGaAs或AlInGaP的第III-V族半导体LED中，为了晶格匹配，半导体在由类似于半导体的材料制成的单晶基板上生长。例如，在外延生长AlGaAs的情况下，典型地使用...
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