技术编号:6939118
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种半导体记忆元件及其形成方法,特别是涉及一种位于半导体记忆 元件中的金属-接触窗堆叠结构。背景技术在目前的半导体工业中,微小化是重要的设计趋势,也就是藉由缩小半导体元件 的尺寸,进而缩减单一晶片面积,以在单一晶圆上制作更多晶片。然而,当元件尺寸越来越 小时,用以制造此半导体元件的半导体制造工艺(即制程,以下均称为制造工艺)将会面临 许多问题。图IA为公知一种例示性金属-接触窗(Metal-to-contact,ML-to-CO)堆叠结构 的示意...
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