技术编号:6939149
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及制造半导体器件的方法,更具体地说,涉及使具有埋入式栅极的半导 体器件的制造工序简化并且使该制造工序所产生的问题最少的制造半导体器件的方法。背景技术随着例如动态随机存取存储器(DRAM)等半导体存储器件的集成度提高,金属氧 化物半导体(MOS)晶体管所占据的面积逐渐减小。因此,MOS晶体管的沟道长度也减小,从 而会产生短沟道效应。具体地说,如果在用于DRAM的存储单元(cell,又称为晶胞)中的存 取MOS晶体管中产生短沟道效应,则DRAM单元的阈...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。