技术编号:6939474
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体器件,特别涉及各种开关电源等功率电子领域中使用的功率半 导体器件。背景技术MOS型场效应晶体管(以下称为"MOSFET")、绝缘栅型双极晶体管(以下称为 "IGBT")等半导体器件具有高速开关特性以及几十 几百V的反向阻断电压(以下称为 "耐压")。因此,这些半导体器件广泛用于家用电气设备、通信设备、以及车载用电动机等 电力变换那样的控制领域中。为了达成使用了这些半导体器件的电源系统的小型化、高效 化、以及低功耗化,需要降低构成系统的半导体...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。