技术编号:6939504
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及。 背景技术在半导体激光器的制造工艺中,用划线标记对晶片进行标记,通过施加适当的力 将晶片劈开分割成多个条。但是,对于由GaN构成的晶片,因为GaN具有高的稳定性,所以 难以利用劈开进行加工。针对这个问题,专利文献1中记载了形成劈开辅助区域层,并沿着该层的切痕进 行劈开的方法。另外,在专利文献2中记载了,以二者的中心轴一致并且以连续的状态形成 从晶片的端部到中央部延伸的主导槽和比主导槽宽度窄的副导槽,并在这些槽的延伸方向 上劈开晶片的方法。[专利...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。