技术编号：6939529
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体器件，更具体地，涉及具有双金属栅极结构的互补金属氧化物半导体(CMOS)器件及其制造方法。背景技术金属栅极和高k栅极电介质在先进CMOS器件中的引入要求双栅极电介质和双金 属栅极的集成实现目标CMOS性能。然而，双电介质和双金属栅极的集成引入附加的光刻步 骤和工艺复杂性，这使得制造成本增加。然而，具有双功函数金属栅极的半导体晶体管的集成是困难的。例如，很难控制金 属的功函数。在同时具有PMOS和NMOS晶体管的半导体器件中有利地使用双功函数...
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