技术编号：6939532
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种按照压力接触方式实施的、设置在冷却构件上的功率半导体模块，所述功率半导体模块具有至少一个衬底以及具有压力装置，在所述衬底上设有功率半导体器件，所述压力装置用于使所述功率半导体器件在所述至少一个衬底上压力接触导通，并且用于将所述至少一个衬底以导热的方式设置在所述冷却构件上。背景技术这种功率半导体模块以各种构造方式为人所知。例如DE 101 21970 B4描述了一种按照压力接触方式实施的功率半导体模块。这种已知的功率半导体模块包括壳体；陶瓷衬底...
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