技术编号：6939557
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种AlGalnP(铝镓铟磷)系LED(发光二极管)的结构及其制备方法，属于光电子。背景技术LED具有体积小、寿命长、功耗低等优点，其中GaAs衬底上制备的AIGalnP体系LED在黄绿、黄色、橙色和红色波段性能优越，目前广泛用于RGB三基色全彩显示屏、白色光源、交通信号灯、城市亮化工程、汽车灯具等领域具有广阔的应用前景。 目前，普通AIGalnP系LED芯片的结构如图1所示，自下而上包括下电极10、衬底9、缓冲层8、布拉格反射层7、下限制层6、...
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