技术编号:6939576
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及基于宽禁带化合物半导体材料的功率整流器件之,尤其涉及使用具有高介电常数的绝缘材料作为场板介质层的氮化镓基肖特基二极管器件。 背景技术功率电子器件如功率整流器和功率开关广泛应用于国民经济的各个领域,如开关 电源、汽车电子、无线电通信、电机控制等。长期以来,人们一直使用硅基功率电子器件;然 而,随着硅工艺的多年发展,相应的硅基功率电子器件性能已经逐渐接近其理论极限。要想 再大幅度地提高器件性能,突破功率电子器件发展所面临的"硅极限"问题,就必须采用新...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。