技术编号:6939600
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及的是一种利用金属氧化物场效应晶体管原理的半导体管,尤其涉及一种二极管元胞以及由多个二极管元胞集成的二极管芯片。 背景技术随着电子技术的快速发展,电子产品设计对元器件要求越来越高,普通的PN结 二极管由于其正向电压高,频率低,自身损耗大,正温度系数,越来越不能满足电子产品发 展的要求,而被随之发展起来的新型的肖特基二极管,因其具有比PN结二极管高的频率特 性,低的正向电压,自身损耗低而取代普通的PN结二极管。但由于新型肖特基二极管存在 反向漏电流大...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。