技术编号:6939653
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体制造领域,特别涉及。 背景技术在半导体制造技术中,金属硅化物由于具有较低的电阻率且和其他材料具有很好 的粘合性而被广泛应用于源/漏接触和栅极接触来降低接触电阻。高熔点的金属与硅发 生反应而熔合形成金属硅化物,通过一步或者多步退火工艺可以形成低电阻率的金属硅化 物。随着半导体工艺水平的提高,特别是在90nm及其以下技术节点,为了获得更低的接触 电阻,镍及镍的合金成为形成金属硅化物的主要材料。在已经公开的申请号为200780015617. 9的...
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