技术编号：6939696
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体器件，尤其是功率场效应晶体管及其制作方法。 背景技术对于功率场效应管来说，击穿电压、开关速度是影响器件性能的重要因素，其中开 关速度受寄生电容影响，寄生电容越小时开关速度越快。一款常见的N型功率场效应管，如附图1所示，在N+掺杂的衬底10上形成P掺杂 的反型衬底11，反型衬底11上形成栅极沟槽12，栅极沟槽12的侧壁和底部填充有沟槽氧 化物13，栅极沟槽12的顶部形成有多晶硅栅极14 (多晶硅栅极14与沟槽氧化物13之间还 有栅氧化物，栅氧...
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