技术编号:6939714
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明属于半导体集成电路制造领域,涉及一种光刻工艺,尤其涉及一种针对深 孔衬底上进行光刻工艺的方法。背景技术在一些特殊工艺(例如BCS13G)中存在超深接触孔工艺(de印CT),即需要在深 孔衬底上进行光刻工艺,同时根据器件性能要求,需要通过深孔对下地进行注入工艺,见图 1。在工艺实施过程中,需要保证两个方面的工艺效果一是离子注入区域的光刻胶必须去 除干净,尤其是深孔底部不能存在光刻胶残留,这样可以保证离子注入效果;二是离子注入 结束后必须确保非注入区域深...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。