技术编号：6939773
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种三极管的版图设计，具体涉及一种锗硅异质结三极管的版图结构 设计。背景技术传统的锗硅异质结三级管制备工艺中，是利用埋层和外延层作为异质结三极管的 集电极连接，以降低集电极电阻。其三极管阵列的版图结构设计为集电极-基极-发射 极-基极-发射极(中间为基极和发射极的单元重复排列)一集电极的结构来实现的，即 仅在一长串版图两端设置集电极，三极管阵列是通过埋层和外延层来实现集电极共接，再 由金属层引出。而低成本的异质结三极管结构直接采用埋层作为集电极连...
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