技术编号:6939793
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明属于半导体功率器件。背景技术高压功率集成电路的发展离不开高压和低压半导体器件。高压功率集成电路常利 用Bipolar晶体管的高模拟精度、CMOS的高集成度以及DMOS (Double-diffused MOSFET)的 高功率或电压特性,将Bipolar模拟电路、CMOS逻辑电路、CMOS模拟电路和匿OS高压功率 器件单片集成在一起(简称BCD器件)。横向高压器件由于漏极、栅极、源极都在芯片表面, 易于通过内部连接与低压信号电路集成,被广泛应用于高压...
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