技术编号:6939808
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体激光器领域,尤其是一种940nm lOOOnm波段的低开启电压高效率半导体激光器的量子阱外延结构。背景技术近年来,大功率半导体激光器的有源区几乎都采用应变量子阱结构,这是因为应变效应和量子尺寸效应使得半导体激光器价带的有效质量减小,态密度降低,以获得较低的阈值电流密度,从而提高了激光器的工作特性。半导体激光器发展至今,阈值电流密度从1000A/cm2降低到100A/cm2以下,波长从红外发展到远红外和可见光,输出功率不断提高,单管输出功率从...
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