技术编号：6939823
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种半导体制作工艺，尤其涉及一种P型碳化硅器件及提高其欧姆接触性能的方法。 背景技术P型碳化硅器件是常用的半导体器件。 如图la所示，目前通常的针对P型碳化硅器件，解决其欧姆接触的方法是，先用Al 金属直接作为接触材料，淀积在所制备的P型碳化硅基板上，通过调节合金温度等，获得不 同退火条件下Al/SiC/Si样品，但Al与P型碳化硅的接触势垒较高。 现有技术中，解决的主要办法是寻找一种合适的金属，使其与P型碳化硅接触时 的势垒较低。 上述现有技术...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。