技术编号：6940036
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体，尤其涉及一种微电容MOS变容管和变容二极管的开 路去嵌测试结构。背景技术金属氧化物半导体(MetalOxide Semicoductor,以下简称M0S)变容管和变容二 极管都是电容随电压变化的元件，是射频和混合信号(mix-signal)电路，尤其是电压控制 振荡器(Voltage Controlled Oscillator，以下简称VC0)电路中的重要元件。而随着集 成电路的发展，某些电路的驱动工作频率已经超过3GHz，例如，在高速电...
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