技术编号：6940037
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种用于浅沟槽隔离工艺的湿法去除氮化物的方法，具体地说，本发 明涉及通过改进工艺步骤来降低湿法去除氮化硅的成本和提高其效率的方法。背景技术随着半导体技术的飞速发展，半导体器件的特征尺寸日益减小。为了在半导体表 面形成多个器件，需要在各个器件的有源区之间进行隔离。浅沟槽隔离(STI)是在衬底上 制作的晶体管有源区之间形成隔离区的一种已知工艺。由于该技术具有隔离区域小和完成 后仍保持基底平整等优点，因此已成为常用的半导体制造技术之一。该工艺主要包括S...
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