技术编号:6940125
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及包含作为沟道的氧化物半导体层的薄膜晶体管(ThinFilm Transistor, TFT)和包括该薄膜晶体管的显示器件。背景技术例如由氧化锌或铟镓锌氧化物(indium gallium zinc oxide, IGZO)等制成的氧化物半导体作为半导体器件的活性层呈现出了优良的特性。近年来,已经进行了将该氧化 物半导体应用于TFT、发光元件或透明导电膜等的研发。例如,与包含作为沟道的液晶显示元件用非晶硅(a-SiH)的现有TFT相比,包含 上述氧...
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