技术编号:6940520
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种化合物半导体外延衬底、,并且 更具体地,涉及一种化合物半导体外延衬底以及具有氮化物半导体层的化合物半导体器 件、及它们的制造方法。背景技术GaN具有3. 4eV的宽的带隙并且是一种期望用于短波长光发射和高击穿电压操作 的半导体。已经开发出了用于紫外线和蓝光的光发射器件。移动电话的基站放大器需要高 电压操作。目前报道了将超过300V的值作为电流关断(current-off)期间的击穿电压。通 过采用SiC衬底获得最好的输出特性。认为这是由于Si...
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