技术编号：6940528
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体，尤其是涉及是一种在GaSb衬底上生长的3至5微米 中波段InAs/GaSb超晶格红外探测器及其制作方法。背景技术随着科学技术的进步，各种波段适用多种用途的红外探测器逐渐发展起来，目前 在战略预警、战术报警、夜视、制导、通讯、气象、地球资源探测、工业探伤、医学、光谱、测温、 大气监测等军用和民用领域，红外探测器都有广泛的应用。但是当前最常用的硅掺杂探测 器、InSb、QWIP、MCT等红外探测器，都要求在低温下工作，需要专门的制冷设备，造价...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。