技术编号:6940591
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及具有小的寄生电容的垂直腔面发射激光器(VCSEL)及其制造方法。背景技术近年来,由于垂直腔面发射激光器(VCSEL)与边缘发射激光二极管相比功耗更 低,并且可以实现直接调制,因此,将其用作光通信用的适当光源。VCSEL—般设置有柱形台面,其在衬底上依次包括下DBR层、下间隔层、有源层、上 间隔层、上DBR层以及接触层。下DBR层和上DBR层中的任一个包括电流窄化层,在此电流 注入区域被窄化以提高有源层中的电流注入效率,并降低阈值电流。电极设置在台...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。