技术编号：6940638
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本实用新型涉及存储器件，特别是涉及一种利用碳纳米管设计制备的单电子存储器。背景技术存储器在全世界半导体市场中占据了40％的份额，存储器以外的其它半导体产品每2年更新一代，而存储器则是每18个月一代，以动态存储器(DRAM)的发展为例，1988年日本在硅片上刻线的线宽达到了0.8微米，4Mb的动态随机存储器DRAM问世，从而进入了特大规模集成ULSI时代；1992年线宽0.5微米的16Mb芯片投产；1994年线宽0.35微米的64Mb芯片投产；不久就将实现0...
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