技术编号:6940799
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种半导体测试装置和方法,特别涉及一种。背景技术目前,随着集成电路的工艺的集成度进入纳米级,影响集成电路性能和可靠性的工艺环节越来越多。在金属氧化物半导体场效应晶体管(Metal-Oxide Semiconductor Field Effect Transistor, MOSFET)器件结构中,表示有源区(Active Area, AA)接触孔 (Contact, CT)和栅极(poly)相对位置的AA CT处剖面图如图1所示,包括晶圆内被浅沟槽...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。