技术编号:6940861
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种铜铟镓硒和/或硫光吸收预制层的制造方法,特别是一种用于非 真空下在钼层上形成均勻光吸收预制层的无粘接剂及活性剂的铜铟镓硒和/或硫光吸收 预制层制造方法。背景技术近年来,随国际油价高涨及环保意识的抬头,绿色能源已成为新能源主流,其中太 阳能电池又因是取自太阳的稳定辐射能,来源不会枯竭,因此更为各国所重视,无不倾注大 量研发经费及政策性补贴,以扶植本地的太阳能电池产业,使得全球太阳能产业的发展非 常快速。第一代太阳能模块包括单晶硅和多晶硅的太阳能...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。