技术编号:6940878
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种SiC衬底GaN基LED的湿法腐蚀剥离的剥离方法,属于光电子技 术领域。背景技术1998年Lumileds公司封装出世界上第一个大功率LED(1W LUX0EN器件),使LED 器件从以前的指示灯应用变成可以替代传统照明的新型固体光源,引发了人类历史上继白 炽灯发明以来的又一场照明革命。1WLUX0EN器件使LED的功率从几十毫瓦一跃超过1000 毫瓦,单个器件的光通量也从不到1个lm飞跃达到十几个lm。 大功率LED由于芯片的功率密度很高,...
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