技术编号:6941354
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明是有关于一种半导体结构,且特别是有关于一种高压侧半导体结构。背景技术随着半导体科技的发展,发展出一种高压侧半导体结构。高压侧半导体结构在基 板上形成掺杂离子的深井,半导体组件则设置于此深井内,以创造出较高的参考耐压(又 称为崩溃电压)。 在许多应用上,设计者必须试着增加高压侧半导体结构的参考耐压。然而,要高压 侧半导体结构的增加参考耐压是一件相当不容易的事情。为了改变高压侧半导体结构的参 考耐压,工艺上可能需要多出许多道黄光工艺,高压侧半导体结构的操...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。