技术编号：6941466
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本实用新型属于存储器领域，特别涉及一种以碳纳米管为基础的随机存储器。随着人们对器件的速度和尺寸要求的不断提高，传统的半导体工艺制作的存储器已经暴露出了种种的不足。如传统半导体工艺使用光刻等方法，受工作介质——光的波长的影响，器件的尺寸很难进一步缩小。以金属氧化物半导体场效应管为例最小的图形尺寸为0.25μm的256兆DRAM的面积大约为0.72μm2，最小图形尺寸为0.18μm的1千兆DRAM的面积大约为0.32μm2，最小图形尺寸为0.13μm的4千兆D...
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