技术编号：6941914
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及集成电路领域，尤其涉及一种PNPNP型双向可控硅。背景技术自然界的静电放电(ESD)现象是引起集成电路产品失效的最主要的可靠性问题 之一。有关研究调查表明，集成电路失效产品的30 %都是由于遭受静电放电现象所引起的。 因此，改善集成电路片上静电放电防护的可靠性对提高集成电路产品的成品率乃至带动整 个国民经济具有不可忽视的作用。静电放电现象根据电荷来源的不同，通常分为三种放电模式HBM(人体放电模 式)，MM(机器放电模式)，CDM(组件充电放电模...
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