技术编号:6942042
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明属于半导体,特别指在大失配的衬底上,利用氮化物复合缓冲层 结合超晶格的方法生长表面无裂纹的GaN薄膜材料。背景技术GaN材料作为第三代半导体材料的典型代表,具有禁带宽度大、电子漂移速度大、 热传导率高,耐高压、耐热分解、耐腐蚀和耐放射性辐照的特点,以及其独特的极化效应,特 别适合于制作超高频、高温、高耐压、大功率器件,在无线通信、雷达探测系统、高温电子器 件和照明领域具有广阔的应用前景。但是由于GaN材料缺少同质衬底,目前普遍采用异质外延的方式进行生...
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