技术编号：6942170

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本发明涉及用于光伏器件的新材料，更具体涉及用于高能量转换效率太阳能电池 的多频带半导体。背景技术适合用于光伏器件的各种材料是众所周知的，例如四面体的非晶态半导体(举例 来说，非晶硅、非晶硅锗和非晶碳化硅)以及包括IV族(Si)、II-VI族化合物半导体(举 例来说，CdTe)和III-V族化合物半导体(举例来说，GaAs、GalnP、GaAlAs)的多晶和单晶 半导体。传统的太阳能电池使用通过将杂质离子注入或热扩散到硅(Si)或砷化镓(GaAs) 的单晶基...
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