技术编号:6942222
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体制造,特别涉及一种。 背景技术目前,伴随着半导体制造技术的飞速发展,半导体器件为了达到更快的运算速度、 更大的数据存储量以及更多的功能,晶片朝向更高的元件密度、高集成度方向发展,半导体器件的栅极变得越来越细且长度变得较以往更短。那么,对栅极尺寸的精确控制变得越来越重要,而且栅极前端与前端之间的距离也需要准确控制。如图3a所示,在Y轴方向上,两个长条状的栅极之间的距离,由双向箭头标示,为栅极前端与前端之间的距离。多晶硅是制造栅极的优选材料,其...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。