技术编号:6942546
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体存储器,特别涉及一种。背景技术 通常,用于存储数据的半导体存储器分为易失性存储器和非易失性存储器,易失性存储器易于在电中断时丢失其数据,而非易失性存储器即使在供电中断后仍能保持片内信息。目前可得到的非易失存储器有几种形式,包括电可编程只读存储器(EPROM)、电可擦除编程只读存储器(EEPROM)和快闪存储器(flash memory) 0与其它的非易失性存储器相比,快闪存储器具有存储数据的非易失性、低功耗、电重写能力以及低成本等特性,因此...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。