技术编号:6942978
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及存储元件及其制造方法以及半导体存储装置。技术背景 包括非易失性存储器单元(诸如EEPR0M(电可擦写和可编程ROM)和闪存等)的 半导体装置现在被用在各种电子装置中。改善半导体装置的诸如重写次数和数据保持耐受 性等以及使半导体装置的结构小型化是重要的挑战。对于市场上已经能够买到的以浮动型为代表的闪存结构,由于电阻改变型存储器 从可靠性和小型化的观点来看具有优势,所以电阻改变型存储器已经引起了注意。电阻改 变型存储器包括ARAM、RRAM、PCRA...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。