技术编号:6943451
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种。 背景技术半导体器件中使用金属氧化物半导体(MOS)的集成电路技术,日趋朝向高密度化 的方向前进着。伴随着高密度化,其中所使用的MOS晶体管已经微小化至纳米程度。在数 字电子电路的基本电路中,虽然反向器(inverter,有称为反相器或换流器的情形)电路 为基本电路的一员,然随着此反向器电路的微小化进程,使漏电的控制变得愈加困难;这 产生了热载子效应,使得可靠度下降,并有由于为了确保电流量的要求,电路所占的面积 始终无法降低的问题。为了解决...
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