技术编号:6943694
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体,特别涉及一种。背景技术在半导体器件的后段(back-end-of-line,BE0L)工艺中,可根据不同需要在半导体衬底上生长多层金属互连层,每层金属互连层包括金属互连线和绝缘层,这就需要对上述绝缘层制造沟槽(trench)和连接孔,然后在上述沟槽和连接孔内沉积金属,沉积的金属即为金属互连线,一般选用铜或铝作为金属互连线材料。在制作完金属互连层后,常常需要采用聚焦离子束(FIB)方式对金属互连层结构进行切割得到样品后,在透射电子显微镜(T...
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