技术编号：6943833
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体制造领域，尤其涉及。 背景技术随着集成电路制作工艺中半导体器件的集成度不断增加，随机存储器存储单元的密度也越来越高，电容在随机存储器存储单元所能利用的面积就越小。为了在电容的面积减小的同时，仍能维持可靠的性能，因此在电容所占的面积缩小的同时，仍能维持每个电容的电容量是很重要的。为了提高电容的电容量，理论上可从以下几个方向着手(1)增加储存电极的表面积，( 提高介质层的介电常数，( 减小介质层的厚度。现有技术中，通过增加下电极的表面面积(与上...
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