技术编号:6943849
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种半导体器件及其制造方法。 背景技术射频LDMOS是一种应用于通讯领域的功率器件。该器件因为需要通大电流,在设计时需要考虑散热及降低电阻的要求。请参阅图1,这是现有的射频LDMOS器件的简单示意图。硅衬底10上具有外延层11,外延层11中具有掺杂载流子通路13。外延层11就是淀积的单晶硅。掺杂载流子通路13就是具有掺杂的单晶硅,其中所掺杂的杂质作为载流子。 外延层11之上具有栅氧化层14及其上方的栅极15。外延层11中具有阱20,阱20在栅极 ...
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