技术编号:6943858
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明属于微电子,涉及半导体材料的生长方法,特别是一种m面Al2O3 衬底上半极性GaN半导体材料的外延生长方法,可用于制作半极性GaN基的半导体器件。背景技术氮化镓以及III-V族氮化物在光电子和微电子领域都取得了巨大的进展,这种材料可以在高温和比较恶劣的环境下工作,具有广阔的应用前景,是目前研究的热点。常规的 氮化镓是在极性面c面上生长的,GaN基器件的出色性能主要因为AlGaN/GaN异质结界面 存在着高密度和高迁移率的二维电子气(2DEG),这层2...
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