技术编号:6943884
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体制造,特别涉及一种。 背景技术高压器件在现代集成电路设计中有着广泛的应用,与之对应的高压工艺由于需要为电路设计提供很多种类型的器件,例如高压MOS管、低压MOS管、电阻、电容、电感等,因此高压工艺本身的集成度很高,并且对这些器件的性能要求也都非常高,这里所提到的高压器件都是指平面的高压器件。通常0.35um以上的高压工艺中,高压MOS器件最常用的隔离方式是LOCOS (硅的局部氧化)工艺,即在有源区以外的区域生长一层厚的氧化膜作为隔离层,也...
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