技术编号：6943897
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及封装制作晶圆TSV过程中所采用的腐蚀槽和相应的工艺方法，更确切 地说本发明是一种采用支撑晶圆以及BCB低温键合藉助腐蚀槽结构以制作高可靠性的晶 圆TSV，属于圆片级TSV三维互连封装。 背景技术为了满足超大规模集成电路(VLSI)发展的需要，新颖的TSVCThroughSilicon Via,穿硅通孔)三维封装技术应运而生，它用最小的尺寸和最轻的重量，将不同性能的芯 片和多种技术集成到单个封装体中，是一种通过在芯片和芯片之间、晶圆和晶圆之间制造 ...
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