技术编号:6943910
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及用于半导体材料外延生长的衬底,更具体地,涉及一种用于制备氮化物半导体外延材料的碳化硅基复合衬底。背景技术氮化物半导体,尤其是氮化镓(GaN),是制备应用于半导体照明和显示器背光领域的发光二极管(LED)器件的核心材料。由于缺少同质体单晶材料,GaN材料的器件应用通常在异质基底上进行,比较常用的有蓝宝石(B-Al2O3)、碳化硅(6H-SiC)、硅(Si)等。随着近年来国内外SiC单晶材料制备技术的进步,SiC单晶基底的价格逐渐降低,这为降低SiC...
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