技术编号：6944082
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及例如具备能够大电流化的GaN等功率器件的。背景技术一般地，功率M0S (金属氧化膜半导体)晶体管和IGBT (绝缘栅双极性晶体管)等 功率晶体管、功率IC(集成电路)等高输出高发热的半导体装置被使用在电池驱动装置的 电源或开关、汽车电装品、电动机驱动用控制装置等电子设备和电气设备等所有领域。作为这种高输出高发热的现有半导体装置，被(日本)特开昭59-25256号公报 (专利文献1)所公开。如图5所示，该现有的半导体装置具备端板部54和具有三个引线...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。