技术编号:6944206
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及集成电路,尤其涉及一种在GaN HEMT的匪IC工艺中制作50 欧姆TaN薄膜电阻的制作方法。背景技术一般为了与匪IC工艺结合,需要采用薄膜工艺,薄膜工艺厚度约为0. 01 μ m 1 μ m之间。为了可以在匪IC的薄膜工艺中同时形成电阻、电容、电感等元件,需要运用不同的工艺与材料进行制作,同时工艺温度一般都会控制在400°C以下,相对于陶瓷技术所需的烧结温度800 900°C而言,薄膜工艺稳定度较高,在进行工艺结合的过程中,只需注意不同元件之...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。