技术编号：6944383
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。,及其制造方法本发明涉及集成电路，尤其涉及一种新型的抗总剂量辐照的S0I器件及其制造方 法，属于电子。背景技术集成电路技术正越来越广泛的被应用于航天、军事、核电和高能物理等与总剂量 辐照相关的行业中。而且随着集成电路集成度的不断提高，半导体器件的尺寸日益减小， 浅槽隔离技术正以其优良的器件隔离性能成为集成电路中器件之间电学隔离的主流技术。 但是由于总剂量辐照粒子对于器件中二氧化硅氧化层的损伤，会在S0I器件的氧化层内产 生大量的固定正电荷。在S0I器件中，...
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