技术编号:6944435
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明是有关于使用环状电极的根基于可程序化电阻材料,例如相变化存储材料 的高密度存储装置,及此种装置的制造方法。背景技术硫属化物材料是被广泛地运用于读写光盘片中。而这些材料包括有至少两种固态 相,包括如一大部分为非晶态的固态相,以及一大体上为结晶态的固态相。激光脉冲是用于 读写光盘片中,以在二种相中切换,并读取此种材料于相变化之后的光学性质。硫属化物材料也可以由施加电流而导致相变化。此特性也造成使用可程序电阻材 料以形成非挥发存储电路。在相变化存储器中,资...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。